均質形成差排：單純受到應力而產生的差排
異質形成差排：是由材料內部缺陷形成的差排，像是透過空孔聚集或是差排源形成的差排
舊的差排有機會讓雜質擴散進差排，使能量下降
能量高的差排比較容易移動，所以新生差排比較容易移動
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Bending的方向跟差排最終移動的方向有關，bending產生壓應力，應力在滑移面的分力剛好互為剪力，使差排移動，移動至差排表面形成階梯狀
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臨界分解剪應力，是在滑移面的分力除以滑移面的面積
1.簡單滑移
2.多重滑移
3.差排不再快速增加
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稜柱面(prism) 〈11-20〉{10-10} only for Ti Be Zr
second-order pyrimid二階錐面
〈11-2-3〉{11-22} only for Zn Cd
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cross-slip通常是 prism和basal
½[1-10]=⅙[-12-1]+⅙[-211]
而⅙[-211]=⅙[-1-10]+⅙[-121]
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primary slip system
cross slip system
conjugate slip system
真應力應變推導
晶粒小，晶界多，差排難移動，這是hall petch equation
回復：退火第一步驟，使材料的硬度，物理、機械等性質回復到接近加工前的狀態。通常是消除過多的差排，也有可能是形成低能量差排結構，如胞壁，多變性化
動態回復：回復在加工時就已發生。影響動態回復有兩個關鍵因素
溫度愈高，原子動能更大，更容易產生動態回復
疊差能愈高，擴張差排的距離愈近，更容易產生熱激交叉滑移，更容易產生動態回覆
晶界角度，sin(θ/2)=b/2d，所以，θ=b/d
硫化鐵易於晶界形成薄膜狀的析出(與表面張力有關)，硫化鐵與鐵會形成低熔點共晶化合物，在高溫熱處理時，共晶化合物熔融，使晶界強度下降，導致材料沿晶界裂掉
共位晶界：Cu在400度退火，之後調高溫度至800～1000度進行二次再結晶。相鄰的晶粒的原子排列模式一樣，但會剛好呈現一個旋轉角度的狀態，此時的晶界稱共位晶界
共位位置與所有原子的比率成為density of coincidence sites，倒數後是更普遍用來表示密度的方式，以sigma表示
Hf是形成vacancy的能量
Hm是vacancy移動所需能量
------考古有出現的考題
動態回復：回復在加工時就已發生。影響動態回復有兩個關鍵因素
溫度愈高，原子動能更大，差排更容易移動，產生動態回復
疊差能愈高，擴張差排的距離愈近，更容易產生熱激交叉滑移，更容易產生動態回覆
加工硬化的機制是依靠差排交叉讓材料硬化。而因為動態回復會使應變能下降，不易產生新的差排。因此降低了加工硬化率
三種點缺陷：vacancy 空孔
intetstitial填隙型位置
divacancy雙空孔，兩個空孔集合
回復：退火第一步驟，使材料的硬度，物理、機械等性質回復到接近加工前的狀態。通常是消除過多的差排，也有可能是形成低能量差排結構，如胞壁，多變性化
再結晶：驅動力是冷加工時造成的應變能，目的是消除應變能，產生新的晶粒取代舊的晶粒。當新的晶粒完全取代舊的晶粒時，再結晶完成。
晶粒成長：再結晶完成後，新的晶粒繼續成長，目的是降低晶界能(驅動力)
為什麼晶粒成長是朝曲率中心移動？
A:畫圖解釋，一邊原子bonding少，另一邊多，因此有一邊較容易移動。
交叉滑移：當材料有兩個以上的滑移面時，差排滑移可能會改變滑移面，這樣的情況稱交叉滑移。而滑移面是由burger vector和差排線共同決定的，兩者皆需橫躺在滑移面上。旋差排burger vector和差排線平行，因此滑移面可以轉換。但刃差排，b和差排線垂直，因此滑移面只有一個
雙交叉滑移：在某些情況下，旋差排可能會做兩次的交叉滑移(畫圖)，在轉換滑移面時，原子的排序會改變，因此會產生像frank-read source的結構，可以再產生新的差排。
而新的差排不斷產生都在同一個滑移面上，因為是差排源產生，所以產生的差排緊密排列，這個現象叫滑移帶
硫化鐵易於晶界形成薄膜狀的析出(與表面張力有關，需畫圖解釋)，硫化鐵與鐵會形成低熔點共晶化合物，在高溫熱處理時，共晶化合物熔融，使晶界強度下降，導致材料沿晶界裂掉。而在低溫時，共晶化合物是固體，對晶界強度影響較不大
在晶粒成長時，影響晶粒大小的因素：
1.雜質原子(散布強化)，加上推導公式
2.free-surface effect 、thermal groove
3.畫一根棒子，當晶粒大小幾乎跟材料厚度一樣，晶粒長到一定大小，晶界就都移動到表面，產生自由表面效應，不具曲率，無法繼續長大
4.preferred orientation，在texture容易看到。兩塊原子排列差不多的晶粒彼此之間是低角度晶界，所以晶界能低，自然不容易繼續成長
5.strain-induced boundary migration：寫在下面
共位晶界：Cu經過滾壓，在400℃進行退火，之後再加溫至800～1000℃再退火一次，因此形成二次再結晶。
二次再結晶後的晶粒之間有個特殊的關係，兩塊晶粒原子排列一樣，但從垂直晶界的角度看過去剛好會旋轉一個角度。這時在兩個晶粒之間的晶界成為共位晶界
多變形化：經過彎曲冷加工後，將材料進行退火，此時差排很可能開始進行回復，並產生LEDS(畫圖)，此LEDS結構有點類似晶界，給了一個名稱叫次晶界，被次晶界隔開的成為次晶粒。因為形成了不同晶粒，材料也變得像是多邊形，稱這個機制為多邊形化。繞射的結果會不連續，因為Bragg角不連續(畫圖)
預成晶核：再結晶的成核位置在應變能高的地方，又因為再結晶是為了消除應變能，再結晶晶界移動方向是往較高能的地方成長
Taylor relation:公式推導
cell structure:在退火的回復階段，差排聚集所形成的低能量差排結構稱為cell structure
strain-induced boundary migration:退火時，在回復及再結晶階段可能沒有完全釋放應變能，於是到了晶粒成長階段時，會利用剩餘應變能進行成長。且因目的是為了消除應變能，並沒有將能量完全釋放，反而部分變成以晶界能儲存。與grain growth的成長方向不同，往遠離曲率中心方向移動，增加晶界能
Geometrical coalescene:退火時，在回復再結晶晶粒成長的階段都有可能發生。兩大塊原子排列接近的晶粒如果靠的夠近，會傾向結合在一起，降低能量。通常在高織構有preferred orientation，更容易發生此機制(畫圖解釋)
LEDS:材料在退火或是塑性變形時會傾向形成低能量差排結構，像是cell structure 多邊形化。差排之間形成上下排列的方式可以抵消應力場，能量較低，典型的例子是 Taylor lattice(畫圖解釋)
如果差排的應力場互相抵消，那個對其他沒有差排的位置而言就像沒有應力場一樣，所以距離LEDS很遠的部分沒有應力場影響
Hall-petch equation
小的晶粒內部差排數較少，差排要越過晶界產生塑型變形較困難。
反之，大的晶粒較容易產生塑型變形。
所以晶粒小的材料強度比較強(畫圖解釋)
回復的驅動力:應變能高的地方，像是差排交錯的地方
單位面積疊差能高的材料較易產生交叉滑移形成動態回復
溫度低的話差排爬升不易，形成多邊形化或胞狀都需要爬升。因此溫度高對回復而言是比較有益的
溫度低就只有空孔能移動
主滑移系統:變形時傾向的滑移系統，因為臨界分解剪應力在此系統最大
但滑移過程中應力與各個滑移系統的夾角也會改變，當另外一個系統的臨界分解檢應力更大時，會換成此滑移系統進行滑移，稱此滑移系統為共軛滑移系統
交叉滑移系統:在主滑移系統旁的滑移系統，因為在旁邊，主滑移系統有機會進行交叉滑移轉移至交叉滑移系統
臨界分解剪應力=在滑移面上的剪力/滑移面面積
再結晶:回復結束後，利用剩餘應變能來產生新的晶粒，降低能量。當新的晶粒全部取代舊的晶粒，此時再結晶完成
1.簡單滑移，只有一個滑移系統啟動，差排不易交錯，加工硬化率低。應力應變圖斜率低(只須小小的應力就能產生變形)
2.多重滑移，應力越來越大，伴隨其他滑移系統跟著啟動，於是多個差排開始滑移並交錯，產生加工硬化效果，材料強度增加
3.差排不再快速增加，加工硬化效應已飽和，也不再產生大量差排，彼此之間干擾降低
舊的差排有機會讓雜質擴散進差排，使能量下降。可以透過蝕刻方式來辨別新舊差排。新的差排能量高能量高，蝕刻造成孔洞大，反之舊的差排小
能量高的差排較易克服原子之間的bonding，所以新生差排比較容易移動
drag force of particle on the boundary推導
二次再結晶:晶粒成長結束後，給予不同的環境條件，像是提高溫度，能夠讓晶粒繼續成長，驅動力是晶界能
necking point 的推導
輻射損傷:受到核輻射或高能電子束會使原子產生interstitial，因為能量高，導致這個點缺陷擴散快
退火溫度，加工量，純度，起始粒度會影響再結晶速率
加工量和起始粒度影響晶粒大小
達人
