AMD RYZEN系列由於架構的關係，記憶體的頻率越高，CPU效能會越好。因此有了將普通的DDR4-2400記憶體超頻的想法，而使用創見記憶體的原因是最剛開始組這個平台時家裡已經有一條創見DDR4-2133，那時想說剛好再買一條創見的湊個雙通道剛好拿來用，之後爬文才發現記憶體頻率的重要性，但礙於預算加上現在記憶體價格還在高點，所以就決定再買一條DDR4-2400來自己手動超頻，不僅節省預算還可以享受超頻的樂趣^^也趁現在還記得怎麼超頻的時候趕快把過程記錄下來xd
自從開始玩超頻後才有注意到記憶體顆粒的差異，目前許多高頻記憶體都使用三星的b-die顆粒，可以在拉時脈的同時保持極低的時序，當然普通記憶體不太會用到這麼好的顆粒，如圖所示，這是美光的記憶體顆粒，型號代碼D9TBH，這是一顆以穩定運作為主的IC，超頻能力並不會太好，但就儘量調校和最佳化囉~另外創見這條RAM和美光自家的普通記憶體在頻率2400下的時序都是CL17
在介紹完記憶體後，接下來就是裝機進BIOS調整囉~ 首先先打開BIOS，然後找到調整RAM設定的地方(每一家的介面不同，本篇以石頭BIOS為例)，再來就可以開始調整參數惹，接下來會一步步說明超ram的步驟:
Step1. 一開始先將記憶體頻率設定道你想超的頻率(當然不是想超就能超，建議先從預設值慢慢往上拉，圖中的3000是已經經過數次調整後的結果)
Step2. 調整完頻率後，接下來調整SOC和記憶體電壓，一般來說SOC電壓建議設在1.1~1.15V之間，最高不要>1.2V。DRAM電壓的部分依照一般超頻記憶體的電壓設定為1.35V，另外VTTDDR Voltage這個要特別注意，它需要設定為dram電壓的一半，假設DRAM電壓1.35V，那這個值就要輸入1.35/2 = 0.675(V)。設定完就可以進下一步驟
Step3. 接下來是記憶體超頻最關鍵的時序值設定，超頻成功與否和這裡的設定息息相關，時序越低，記憶體延遲越低，效能越好，但想當然爾越低的時序越難達成，這就是前面提到的三星B-DIE厲害的地方，以各家頻率3200的記憶體為準，大部分的品牌時序值落在CL16~18之間，而三星可以壓在CL14，讓效能硬是超出其他品牌的3200記憶體，好ㄅ這是題外話，普通記憶體就照著常見的時序調整就好，硬要設定CL14的話一定開不了機ˊ_>ˋ
一般來說這些時序值要自己慢慢去測試，但是國外有位超頻大佬寫出了RYZEN專用的記憶體計算機，可以幫你算出你需要輸入的值，讓你少走許多彎路^^，當然計算機值僅供參考，實際上還是要測試計算機的參數適不適合你的硬體設備~
(P.S 若你使用的記憶體顆粒有在Memory type選項中的話就不需要下列這些步驟了，直接在計算機點選你的記憶體顆粒類型並點選計算機下方的 R-XMP後就可以直接繼續點選右邊的Calculate計算時序值，作者把顆粒的數值存在裡面了，不用自己手動輸入)
在打開Thaiphoon Burner 後，點選上方的"Read"，要讀哪一條記憶體隨便~紅框處是記憶體顆粒的種類(前面提到的b-die之類的)和記憶體是單面(1)或雙面(2)顆粒，計算機會用到，不過創見沒有給顆粒資訊:(((((
接下來點選畫面右上角的"Report"，要填入計算機的值就全部顯示出來惹，紅框處就是要填到計算機的參數~照著英文縮寫填上去就好^^
等全部數值填完，選擇記憶體顆粒的類型，Profile version選擇V1，Memory rank代表記憶體是單面或雙面顆粒，Frequency是你想超的頻率，BCLK是主機板的外頻，這裡一般照預設就好，除非你有超外頻^^。DIMM Modules是你記憶體的數量，插幾條寫幾條~，設定完後按底下的綠色按鈕"Calaulate SAFE" 數值就會跳出來惹~(旁邊的FAST和EXTREME設定不太建議用，不太穩)，將數值記錄下來後就可以進BIOS調整惹~
回到在BIOS的記憶體時序控制中，並將計算機的數值輸入到BIOS裡，一般輸入前4個或5個數值就好，剩下就使用auto即可
Step4. 時序填完後往下拉，只要調整從ProcODT開始往下4個選項就好，剩下Auto。
ProcODT: 一般48~60ohm，穩定的話設定60ohm即可
Cmd2T: 可以設定1T增加效能，不穩的話可以退到2T
Gear Down Mode: 這個模式在2666以上預設開啟，它可以增加超頻成功的機率，但會犧牲部分效能，若是不開就可以用1T穩跑的話就可以關掉，但我這邊不開的話連BIOS都進不去，所以我把它設定為Enabled
Power Down Enable:節能模式，設定Disabled即可
Step5. 進階設定: 在進階選項最下方有一個AMD CBS，點進去之後設定這些參數:
Core Performance Boost: 只要有手動調整cpu參數，一律設為Disable。
Memory interleaving: 記憶體交錯，有插2支ram跑雙通道的話設定為channel
IOMMU:虛擬化記憶體，沒有用到的話設Disable即可
Global C-state Control: 一般來說這個選項可以Disable以增加顯卡效能，但因為我這邊測試後這個選項打開似乎可以降低一點記憶體延遲，所以我將它Enable
以上這些就是BIOS中要調整的設定，全部調整完後，就可以儲存重開機進系統惹^^
調整完後必須確認是否能穩定運作，我這邊使用HCI memtest來測試
使用方法是一次開啟多個memtest，每個memtest設定1~2G，並讓它跑到100%，沒有錯誤就可以正常使用，求保險的話可以測試到200%~
我這邊的最終結果是以1.27V，16-17-17-34-51之時序值上到3000MHz，並成功通過memtest 110%測試^_^
若測試通過都沒有錯誤，那麼恭喜你，你成功將記憶體超頻惹，接下來就簡單比較一下超頻RAM前後的差異囉~
主機板: ASUS ROG STRIX B350-F Gaming (BIOS 4011)
RAM: Transscend DDR4-2400 8G x 2
GPU: MSI RX480 gamingX 8G@1350MHz,VRAM@2250MHz
SSD: Intel 760P 256G / OCZ ARC100 240G
OS: Windows10 Education 64bit 1803 (17134.228)
除了讀寫效能提升，最重要的記憶體延遲從91.2ns降到79.7ns，對整體效能有更大的加分^^
可以發現不論單核、多核分數都有提升，連顯卡效能也進一步發揮
總結: 要將一條沒有xmp的普通記憶體手動超頻到3000真的需要花不少時間，幸好有了記憶體計算機省了不少時間，原本還想繼續超到3066，但因為memtest一直無法過測而作罷，但能將一條2400的平凡記憶體以1.28V的電壓超到3000已經很滿足惹^_^
-----------------------------9.16更個--------------------------------
前面主要調整的是主時序，後來看了一些文章和影片決定來試試看調整副時序來把這條RAM的性能壓榨出來~
這是舊版的計算機算出來的值，因為我發現新版計算機的值不太適合這條RAM，於是我就拿舊版的數據出來套拉~
副時序裡的trfc算是蠻重要的值，會影響到讀寫效能和延遲。超頻後這個值若是讓它自動設定的話會放得很寬，例如我這邊它預設會放到525，後來經過測試降到400而且能穩定運作(再往下探就會藍屏惹QQ)，剩下的時序值我幾乎都照著計算機給的輸入進去，但是tRRDS和tFAW這2個值因為預設值給得比計算機還低，所以我就沒去動它了。
另外trfc 2和4因為查過資料發現這2個數值幾乎不會用到，於是把它設為Auto。全部輸入完後就大功告成，儲存設定離開BIOS~
微調後還是要來測試一下穩定性，一次開16個HCI memtest，每個設定975Mb，順利跑了200%沒有出現錯誤^_^
再來跑一次分，讀寫都有微幅進步，而且延遲從原本79.7ns降到78.7ns，又更進一步提升效能^^
到這邊微調就全部完成惹^^，若不講求細微的差異，其實主時序調完就可以收工惹，調副時序只是想進一步最佳化而已，不然副時序一大堆，說實在要調到能夠順利穩跑要花很多時間和心力，若是沒有計算機幫忙，我應該不想也不敢去調整xddd，以下附上我最後調整的完整時序給各位參考，謝謝收看^_^
創作內容
Ryzen 7 1700 + 創見DDR4-2400超頻分享
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