ＤＳ卡匣內部構造說明＆遊戲記錄儲存關聯：
ＮＤＳ卡帶記錄所使用的記憶媒介主要分三種：
FLASH(快閃記憶體)
EEPROM(可電除且可程式唯讀記憶體)
FRAM(鐵電記憶體，又稱為FERAN、SRAN-F...)
詳細說明可參考http://www7.masterlink.com.tw/z/zh/zhb/zhb_23160.asp.htm
ＮＤＳ卡帶分解圖
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1202/ds25.jpg
圖片來源
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1202/nintendo.htm
圖片中卡帶內最大的ＣＨＩＰ就是MASK ROM，也是遊戲資料所在，共有４４隻接腳（※１）。上方小型的ＣＨＩＰ則是EEPROM（型號M95640）。只有MASK ROM而無其他ＣＨＩＰ就是無記錄功能（※２）
※１：
MASK ROM的外觀視製造廠商會有所差別，圖片中MASK ROM為Matrix Semiconductor公司製造。但在２００５年１０月被SanDisk社收購之後，就多改為SanDisk製的ＣＨＩＰ，共３２隻接腳
※２：
無記錄功能的遊戲除體驗板及試玩版外，就個人所知僅有エレクトロプランクトン
http://electroplankton.com/
由於ＮＤＳ卡帶使用的基板極為多樣，所使用的記憶ＣＨＩＰ也是相當多種，外觀上難以區別。因此主要是看ＣＨＩＰ上註明的ＣＨＩＰ型號。也可以從ＳＡＶＥ時間長短分出不同，FRAM的ＳＡＶＥ時間短，FLASH和EEPROM的ＳＡＶＥ時間長
至於為什麼FLASH和EEPROM的覆寫時間長，是因為這兩種記憶體在覆寫時是照區塊逐漸覆寫的（※３），所以有些遊戲在記錄時會以棒狀顯示覆寫進度。假如在覆寫中斷電，資料出問題導致無法正常讀取的機率接近１００％。因此部份遊戲（※４）採取了二重區塊的記錄方式，將資料分為Ａ記錄區和Ｂ記錄區，即使記錄時斷電也不會有太大影響。建議遊戲剛入手時就測試一下記錄時是否採取二重區塊，這樣玩起來也比較放心
※３：
覆寫時會使用較高的電力，電力不足時很可能記錄到一半斷電。因此記錄時建議確保電力足夠再進行記錄動作
※４：多為任天堂本社和SQUARE ENIX社的遊戲
記憶體性能：
EEPROM：
EEPROM是使用電氣來寫入或抹除資料，記憶可無限期保留，但ＳＡＶＥ次數有所限制，通常為１萬次到１０萬次（※５）；也有號稱１百萬次的，不過實際上幾乎都達不到這個數字。
FLASH：
跟EEPROM同樣使用電氣來寫入或抹除資料，記憶也可無限期保留，ＳＡＶＥ次數較EEPROM為高，基本值就有１０萬次以上，也較耐衝擊
FRAM:
具有無限次擦寫、讀寫速度較快（為FLASH的１０倍以上）及耗電量較低（為EEPROM的１／４００）的優點，但目前可儲存容量比起EEPROM及FLASH較低。且礙於尺寸及成本等問題，目前較少使用
※５：
這個數值隨科技的進步正不斷提升中，這裡的數值僅為參考。
至於遊戲會採取哪種記憶體作為儲存媒介，主要跟遊戲特性有關。像那種會隨時自動記錄的遊戲（※６），由於記錄次數高，如果使用FLASH或EEPROM作為儲存媒介，可能玩到一半就掛了，再者覆寫時間又長，所以才會選擇SRAM(SRAM基於電池尺寸塞不進卡帶的緣故，ＮＤＳ並無法使用)或FRAM作為媒介
※６：
以部分ＳＬＧ及迷宮探險為主，目的是提升遊戲難度。避免玩家使用ＳＡＶＥ／ＬＯＡＤ大法（重複讀取）來獲得較好的結果。如獲得隨機道具前先記錄，重複讀取直到自己想要的道具出現為止。
以迷宮探險來講，行動一次（獲得道具、踩到陷阱等）記一次錄，走一層樓就要記錄三、四十次，一個關卡平均約１０層樓，有些遊戲甚至有９９層或無限層的；遊戲中少說有１０個關卡，再加上重複練功，玩一輪記錄次數就近兩萬。
ＳＬＧ方面，一樣動作一次（戰鬥、移動、回合變換等）就會自動紀錄一次，假設一場關卡我方平均出場１０人，對方出場２０～３０人，要戰鬥３次才能打倒對方一個敵人，一話平均１５回合，打下來大約要記錄２００～６００次，而遊戲長度假如有５０關，那就是１萬～３萬。重複練功或衝第二輪記錄次數更是可觀。以ＧＢＡ的ＦＥ封印（使用SRAN）來講，要衝１１輪才拿得到所有隱藏角色，再加上烈火的特別篇，也就是１２輪，記錄次數１２萬次～３６萬次。再操的FLASH或EEPROM也要報廢。
相對的，以一般不必隨時記錄的遊戲來言，使用EEPROM和FLASH就足以應付遊戲的記錄需求。且EEPROM和FLASH具有價格低廉、尺寸適宜等優點，而且即使每天記錄５０次，一年３６５天下來才１８２５０次，玩個５年紀錄也不會消失，資料可保存期間極長。這也是為什麼目前ＮＤＳ的遊戲大多使用EEPROM和FLASH作為記憶媒介的緣故
ＮＤＳ卡帶記錄所使用的記憶媒介主要分三種：
FLASH(快閃記憶體)
EEPROM(可電除且可程式唯讀記憶體)
FRAM(鐵電記憶體，又稱為FERAN、SRAN-F...)
詳細說明可參考http://www7.masterlink.com.tw/z/zh/zhb/zhb_23160.asp.htm
ＮＤＳ卡帶分解圖
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1202/ds25.jpg
圖片來源
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/1202/nintendo.htm
圖片中卡帶內最大的ＣＨＩＰ就是MASK ROM，也是遊戲資料所在，共有４４隻接腳（※１）。上方小型的ＣＨＩＰ則是EEPROM（型號M95640）。只有MASK ROM而無其他ＣＨＩＰ就是無記錄功能（※２）
※１：
MASK ROM的外觀視製造廠商會有所差別，圖片中MASK ROM為Matrix Semiconductor公司製造。但在２００５年１０月被SanDisk社收購之後，就多改為SanDisk製的ＣＨＩＰ，共３２隻接腳
※２：
無記錄功能的遊戲除體驗板及試玩版外，就個人所知僅有エレクトロプランクトン
http://electroplankton.com/
由於ＮＤＳ卡帶使用的基板極為多樣，所使用的記憶ＣＨＩＰ也是相當多種，外觀上難以區別。因此主要是看ＣＨＩＰ上註明的ＣＨＩＰ型號。也可以從ＳＡＶＥ時間長短分出不同，FRAM的ＳＡＶＥ時間短，FLASH和EEPROM的ＳＡＶＥ時間長
至於為什麼FLASH和EEPROM的覆寫時間長，是因為這兩種記憶體在覆寫時是照區塊逐漸覆寫的（※３），所以有些遊戲在記錄時會以棒狀顯示覆寫進度。假如在覆寫中斷電，資料出問題導致無法正常讀取的機率接近１００％。因此部份遊戲（※４）採取了二重區塊的記錄方式，將資料分為Ａ記錄區和Ｂ記錄區，即使記錄時斷電也不會有太大影響。建議遊戲剛入手時就測試一下記錄時是否採取二重區塊，這樣玩起來也比較放心
※３：
覆寫時會使用較高的電力，電力不足時很可能記錄到一半斷電。因此記錄時建議確保電力足夠再進行記錄動作
※４：多為任天堂本社和SQUARE ENIX社的遊戲
記憶體性能：
EEPROM：
EEPROM是使用電氣來寫入或抹除資料，記憶可無限期保留，但ＳＡＶＥ次數有所限制，通常為１萬次到１０萬次（※５）；也有號稱１百萬次的，不過實際上幾乎都達不到這個數字。
FLASH：
跟EEPROM同樣使用電氣來寫入或抹除資料，記憶也可無限期保留，ＳＡＶＥ次數較EEPROM為高，基本值就有１０萬次以上，也較耐衝擊
FRAM:
具有無限次擦寫、讀寫速度較快（為FLASH的１０倍以上）及耗電量較低（為EEPROM的１／４００）的優點，但目前可儲存容量比起EEPROM及FLASH較低。且礙於尺寸及成本等問題，目前較少使用
※５：
這個數值隨科技的進步正不斷提升中，這裡的數值僅為參考。
至於遊戲會採取哪種記憶體作為儲存媒介，主要跟遊戲特性有關。像那種會隨時自動記錄的遊戲（※６），由於記錄次數高，如果使用FLASH或EEPROM作為儲存媒介，可能玩到一半就掛了，再者覆寫時間又長，所以才會選擇SRAM(SRAM基於電池尺寸塞不進卡帶的緣故，ＮＤＳ並無法使用)或FRAM作為媒介
※６：
以部分ＳＬＧ及迷宮探險為主，目的是提升遊戲難度。避免玩家使用ＳＡＶＥ／ＬＯＡＤ大法（重複讀取）來獲得較好的結果。如獲得隨機道具前先記錄，重複讀取直到自己想要的道具出現為止。
以迷宮探險來講，行動一次（獲得道具、踩到陷阱等）記一次錄，走一層樓就要記錄三、四十次，一個關卡平均約１０層樓，有些遊戲甚至有９９層或無限層的；遊戲中少說有１０個關卡，再加上重複練功，玩一輪記錄次數就近兩萬。
ＳＬＧ方面，一樣動作一次（戰鬥、移動、回合變換等）就會自動紀錄一次，假設一場關卡我方平均出場１０人，對方出場２０～３０人，要戰鬥３次才能打倒對方一個敵人，一話平均１５回合，打下來大約要記錄２００～６００次，而遊戲長度假如有５０關，那就是１萬～３萬。重複練功或衝第二輪記錄次數更是可觀。以ＧＢＡ的ＦＥ封印（使用SRAN）來講，要衝１１輪才拿得到所有隱藏角色，再加上烈火的特別篇，也就是１２輪，記錄次數１２萬次～３６萬次。再操的FLASH或EEPROM也要報廢。
相對的，以一般不必隨時記錄的遊戲來言，使用EEPROM和FLASH就足以應付遊戲的記錄需求。且EEPROM和FLASH具有價格低廉、尺寸適宜等優點，而且即使每天記錄５０次，一年３６５天下來才１８２５０次，玩個５年紀錄也不會消失，資料可保存期間極長。這也是為什麼目前ＮＤＳ的遊戲大多使用EEPROM和FLASH作為記憶媒介的緣故
