AMD官方給出了Ryzen在AGESA 1.0.0.6下記憶體頻率與時序對性能影響的對比。
AMD分析數據發現：
1.新的BankGroupSwap（BGS）BIOS選項對性能的影響
2. 1-rank DIMM vs 2-rank DIMM
3.自動時序vs 手動調整時序
4.高頻率vs 低頻率低時序
5. 開啟/關閉Geardown Mode（GDM）對性能的影響
Geardown Mode （GDM）
GDM能達成更高頻率、更好的相容性以及穩定性，GDM在DDR4 2667以上默認開啟。
對於超頻用戶，GDM會讓記憶體子系統“丟棄”BIOS中設置的CR參數。
預設的1T CR對性能有幫助（但高頻更難維持1T）。
我們的數據顯示如果你在1T下就能達到理想頻率，就可以關閉GDM。
相反，開啟GDM能幫助你達到更高頻率。 GDM VS 2T CR則需要自己測試調整
BGS是AGESA1006中的新選項，會根據記憶體架構及時序優化記憶體請求的執行。
BGS關閉時遊戲性能會更高；而BGS開啟記憶體帶寬會更高（跑分更高）。
單Rank VS 雙Rank 記憶體
Rank交錯能力導致雙Rank記憶體同頻率通常會快些，但雙Rank記憶體很難達到高頻率，這也是為何大多數高頻記憶體套裝都是幾條4GB或8GB單Rank記憶體。單Rank記憶體更高的頻率足以掩蓋雙Rank的一點點優勢。
通常可以根據產品代碼分辨單Rank /雙Rank記憶體，1Rx4、1Rx8是單Rank，2Rx4、2Rx8是雙Rank。
通常8GB為單Rank，16GB基本都是雙Rank。
自動時序 vs 手動時序
DDR4-3200手動時序:
tCL = 12, tRCDW/R = 12, tRP = 12, tRAS = 28, tRC = 54, tWR = 12, tWCL = 9, tRFC = 224, tRTP = 8, tRDRDSCL = 2, tWRWRSCL= 2, ProcODT = 60Ω
頻率還是時序？
DDR4-3520/DDR4-3466 CL14 和 DDR4-3200 CL12對比。
結果低時序獲得勝利。
DDR4-3200手動時序:
tCL =12, tRCDW/R = 12, tRP = 12, tRAS = 28, tRC = 54, tWR = 12, tWCL = 9, tRFC = 224, tRTP = 8, tRDRDSCL = 2, tWRWRSCL = 2, ProcODT = 60Ω.
DDR4-3466手動時序:
tCL = 14, tRCDR/W = 14, tRP = 14, tRAS = 28, ProcODT = 60Ω, CR = 1T, GDM = Disabled, BGS = Disabled.
DDR4-3520 手動時序:
tCL = 14, tRCDW/R = 14, tRP = 14, tRAS = 30, tRC = 56, tWR = 14, tWCL = 12, tRFC = 312, ProcODT = 53.3Ω
總結
結論#1:雙Rank記憶體最適合懶人，XMP自動設置下性能最高
結論#1a:單Rank的高頻率帶來的性能提升比雙Rank更大，手動優化時序的DDR4-3200 / 3466性能最佳
結論#2:最優化的遊戲性能最好關閉BGS。取決於使用情況
結論#3:追求最高頻率放寬時序的性能不如低頻率低時序。需要自己測試權衡要使用哪種。
結論#4:如果1T CR下超頻穩定就最好關閉GDM，取決於使用情況。
我自己測試~手上這組CL14 3200的芝奇 Flare X 3200 8G*2雙通道
關閉GDM，設CR 1T 在CL14之下，最高可以超頻3466
3600以上需調鬆頻寬
測試速度~CR 1T CL14 3466 確實比調寬的3600來的快！
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記憶體高頻率對Ryzen的優勢 ?
Data FabricZeppelin的北橋，官方稱為Data Fabric（DF），雙向256bit crossbar。DF頻率和內存控制器互影響，比例為1:2【比如DDR4-2667 MEMCLK（內存頻率） = 1333MHz DFICLK（DF頻率）】。這意味著內存頻率直接會影響DF的性能。
在某些情況下，Zeppelin的性能可能會隨內存頻率提升而大幅提升。 但實際上這不是通過提升內存頻率帶來的，而是同時提高的DF頻率帶來了性能提升。
測試2133和3200之間的差異，GTAV 差異FPS可以相差最大25%左右
再次證明高頻內存對於Ryzen的必要性。
Ryzen的性能會隨內存頻率提升而大幅提升，因為內部的Data Fabric頻率和內存實際頻率互相影響。
使用DDR4 3600時，DF頻率1800，帶寬就有56.25GB/s，雙向112.5GB/s，提昇明顯。 所以高頻內存對於Ryzen的性能發揮很有必要，因為DF頻率也會提升。
而Intel平台在DDR4 3200+的提升幾乎可以算在測試誤差的範圍
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2017年3月時的遊戲測試：
搭配顯卡GTX1070 2200MHz/8900MHz
I7-7700K 超頻 5G ，直接搭配記憶體頻率3200 （CL14 1T 3200）
R7 1700X 超頻3.97G，測試2133/2666/3200/3600
（CL13 1T 2133 / CL14 1T 2666 / CL14 1T 3200 / CL16 1T 3600）
戰地風雲1
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GTA5
質量效應
古墓奇兵
四海兄弟3
看門狗2
末日之戰3
附上參考影片~記憶體高頻率對性能的加強效果
影片 ：
Zen的北橋Data Fabric（DF）和記憶體頻率互相影響，比例為1:2算法：DFICLK = 1/2 MEMCLK
比如DDR4-2667 MEMCLK（記憶體頻率） = 1333MHz DFICLK（DF頻率）
換句話說，記憶體頻率提高會直接影響DF性能
所以Ryzen的性能會隨記憶體頻率提升而大幅提升，因為內部的DF頻率和記憶體實際頻率互相影響。
使用DDR4 3600時，DF頻率1800，帶寬就有56.25GB/s，雙向112.5GB/s，提昇明顯。 所以高頻記憶體對於Ryzen的性能發揮很有必要，因為DF頻率也會提升。
測試2133~3600，FPS的差別影響
高頻率記憶體有助於解決IF的瓶頸，但再往上超就不會有太明顯的提升。
CPU主頻越高，消除瓶頸需要的IF頻率（記憶體頻率）要求也會提高。
簡單說就是高頻率記憶體，會把IF帶來的延遲降低，進而提升效能。
創作內容
AMD Ryzen 記憶體頻率、時序、遊戲測試 深入探討
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